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二極管相關的專業術語
大家對二極管的專業術語了解嗎?知道二極管都有哪些專業術語嗎?下面，小編為大家分享二極管相關的專業術語，快來看看吧!
二極管相關的專業術語 1
Schottky barrier double rectifier diode蕭特基勢壘雙整流二極管
Zener diode齊納二極管
backward diode逆向二極管
avalanche photo diode (APD)雪崩光電二極管
blocking diode阻塞二極管
diode capacitor二極管電容器
Freewheel diode續流二極管
Esaki diode隧道二極管;江崎二極管
PIN diode PIN型二極管
Schottky diode肖特基二極管
tunnel diode隧道二極管
transient suppression diode瞬變抑制二極管
resistor-capacitor diode (RCD)電阻器電容器二極管
rectifier diode整流二極管
parasitic diode寄生二極管
clamp diode鉗位二極管
common-cathode double diode共陰極雙二極管
crystal diode晶體二極管
diode-transistor logic (DTL)二極管晶體管邏輯
variable capacitance diode, variode變容二極管
二極管相關的專業術語 2
一、基礎特性與原理類術語
PN 結（PN Junction）
二極管的核心結構，由 P 型半導體（含空穴多數載流子）與 N 型半導體（含電子多數載流子）通過摻雜工藝形成的界面區域。PN 結具有單向導電性，正向偏置時載流子擴散形成電流，反向偏置時形成耗盡層阻礙電流，是二極管實現整流、開關等功能的基礎。
單向導電性（Unidirectional Conductivity）
二極管的核心特性：當陽極（P 區）接電源正極、陰極（N 區）接電源負極（正向偏置）時，正向電阻小，電流可順利通過；當電極極性反向（反向偏置）時，反向電阻極大，電流幾乎無法通過（僅極微弱的反向漏電流）。
正向偏置（Forward Bias）
使二極管導通的外部電壓連接方式：電源正極接二極管陽極，負極接陰極，電壓方向與 PN 結內建電場方向相反，可削弱內建電場，促進載流子擴散，形成正向導通電流。
反向偏置（Reverse Bias）
使二極管截止的外部電壓連接方式：電源正極接二極管陰極，負極接陽極，電壓方向與 PN 結內建電場方向相同，可增強內建電場，擴大耗盡層，抑制載流子擴散，僅產生微弱的反向漏電流。
耗盡層（Depletion Layer）
PN 結界面處，電子從 N 區向 P 區擴散、空穴從 P 區向 N 區擴散后，形成的無自由載流子的離子化區域（N 區側帶正電，P 區側帶負電）。耗盡層寬度隨反向偏置電壓增大而變寬，隨正向偏置電壓增大而變窄。
內建電場（Built-in Electric Field）
耗盡層內由 N 區正離子與 P 區負離子形成的自然電場，方向從 N 區指向 P 區，可阻礙載流子進一步擴散，最終使 PN 結達到動態平衡，是二極管單向導電的核心物理機制。
二、二極管類型與結構類術語
整流二極管（Rectifier Diode）
用于將交流電（AC）轉換為直流電（DC）的二極管，具有較高的正向電流承受能力和反向耐壓值，常見于電源整流電路（如橋式整流、半波整流），典型型號如 1N4007（小電流）、HER207（快恢復型）。
發光二極管（LED, Light-Emitting Diode）
基于 “電致發光” 原理工作的半導體二極管：正向導通時，電子與空穴在 PN 結復合，釋放能量并轉化為可見光（顏色由半導體材料禁帶寬度決定，如 GaAs 發紅光、GaN 發藍光），廣泛用于顯示、照明領域。
穩壓二極管（Zener Diode）
工作于反向擊穿區的特殊二極管，具有 “反向擊穿后電壓基本恒定” 的特性：當反向電壓超過 “穩壓值（Vz）” 時，反向電流急劇增大，但兩端電壓保持穩定，用于電路穩壓、過壓保護，典型型號如 1N4733（3.3V 穩壓）。
肖特基二極管（Schottky Diode）
以金屬（如鋁、金）與 N 型半導體接觸形成 “肖特基勢壘” 為核心的二極管，具有正向壓降小（約 0.2-0.4V，遠低于普通硅二極管的' 0.7V）、開關速度快的特點，常用于高頻整流、低壓大電流電路（如手機充電器）。
快恢復二極管（Fast Recovery Diode, FRD）
反向恢復時間極短（通常 <100ns）的整流二極管，可減少高頻電路中的開關損耗，適用于開關電源、逆變器等高頻場合，與普通整流二極管（反向恢復時間> 1μs）相比，高頻性能更優。
變容二極管（Varactor Diode）
利用 “反向偏置電壓改變耗盡層寬度，進而改變結電容” 特性的二極管：反向電壓增大時，耗盡層變寬，結電容減小；反之則結電容增大，可作為 “電壓控制電容” 用于射頻電路（如調諧器、振蕩器）。
光電二極管（Photodiode）
將光信號轉換為電信號的二極管，工作于反向偏置狀態：當光線照射 PN 結時，光子能量激發耗盡層產生電子 - 空穴對，形成反向光電流（光電流大小與光照強度成正比），用于光檢測（如光纖通信、光電傳感器）。
三、關鍵參數與性能類術語
正向導通電壓（Forward Voltage Drop, VF）
二極管正向導通時，陽極與陰極之間的電壓降，與半導體材料相關：硅二極管典型 VF 約 0.6-0.8V（通常取 0.7V 計算），鍺二極管約 0.2-0.3V，肖特基二極管約 0.2-0.4V；VF 隨正向電流增大略有上升。
反向擊穿電壓（Reverse Breakdown Voltage, VBR）
二極管反向偏置時，反向電流急劇增大（擊穿）的臨界電壓：普通整流二極管需避免擊穿（否則永久損壞），而穩壓二極管則工作于擊穿區（擊穿為可逆，只要電流不超過額定值）。
正向額定電流（Forward Current Rating, IF）
二極管長期正向導通時，允許通過的最大平均電流（超過會因發熱損壞），如 1N4007 的 IF 為 1A，HER207 的 IF 為 2A；實際應用中需考慮散熱條件，避免電流過載。
反向漏電流（Reverse Leakage Current, IR）
二極管反向偏置時，流過的極微弱電流（源于耗盡層內的少數載流子），通常隨反向電壓增大、溫度升高而增大；優質二極管的 IR 極小（如硅二極管常溫下 IR<1μA），反向漏電流過大會導致電路功耗增加。
反向恢復時間（Reverse Recovery Time, trr）
二極管從正向導通轉為反向截止所需的時間：當正向電流突然反向時，二極管會先產生短暫的反向大電流（恢復電流），再逐漸降至漏電流水平，trr 是衡量二極管開關速度的關鍵參數（快恢復二極管 trr<100ns，普通二極管 trr>1μs）。
結電容（Junction Capacitance, Cj）
PN 結形成的等效電容，由耗盡層電容（隨反向電壓增大而減小）和擴散電容（隨正向電流增大而增大）組成；結電容會影響二極管的高頻性能，高頻應用中需選擇結電容小的型號（如肖特基二極管）。
最高結溫（Maximum Junction Temperature, Tjmax）
二極管 PN 結允許承受的最高溫度（超過會導致 PN 結失效），硅二極管典型 Tjmax 為 150-175℃，實際應用中需通過散熱設計（如加裝散熱片）控制結溫，避免過熱損壞。
四、應用與電路類術語
整流（Rectification）
利用二極管單向導電性，將交流電轉換為直流電的過程，常見拓撲有半波整流（僅利用交流電正半周）、全波整流（利用正、負半周，需中心抽頭變壓器）、橋式整流（無需中心抽頭，用 4 個二極管組成橋路，效率最高）。
箝位（Clamping）
利用二極管限制電路中某點電壓在特定范圍的作用，如 “正向箝位” 將電壓上限限制在 VF（如 0.7V），“反向箝位”（用穩壓二極管）將電壓下限限制在 - Vz，常用于保護電路（如防止芯片引腳過壓）。
續流（Freewheeling）
在電感、繼電器等感性負載電路中，并聯二極管提供 “續流回路”：當負載電流突然斷開時，感性負載產生的反向電動勢可通過二極管釋放，避免高電壓擊穿其他元件（該二極管稱為 “續流二極管”）。
開關（Switching）
利用二極管正向導通（低阻）、反向截止（高阻）的特性，實現電路通斷控制，適用于低頻開關場景；高頻開關需選擇反向恢復時間短的二極管（如肖特基二極管、快恢復二極管），減少開關損耗。
背光驅動（Backlight Driving）
針對 LED 二極管的驅動方式，需提供恒定電流（避免 LED 亮度波動），常見驅動電路有串聯限流、恒流源驅動（如采用 DC-DC 轉換器），廣泛用于液晶顯示器（LCD）、手機屏幕的背光照明。
過壓保護（Overvoltage Protection, OVP）
利用穩壓二極管或 TVS 二極管（瞬態電壓抑制二極管，一種特殊穩壓管），當電路電壓超過閾值時，二極管擊穿導通，將電壓鉗位在安全范圍，保護后級電路（如電源模塊、芯片）免受過壓損壞。
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